場發射掃描式電子顯微鏡(Hitachi)

 

一、系統規格及型號:

1. 機型:HITACHI S-4000

2. 電子槍:冷場發射式電子源

3. 電壓:Vacc (Accelerating voltage): 0.5 ~ 30 kV
                Vext (Emission extracting voltage): 0 ~ 6.5 kV

4. 解析度:1.5 nm at 25 keV

5. 放大倍率:20 ~ 300,000倍

6. 可觀察範圍:x: 0~25mm; y: 0~25mm; z: 5~30mm

7. 傾斜:-5 ~ 45度; 旋轉:360度

8. 超高真空系統:~10-7 Pa

9. 可偵測訊號:二次電子影像

 

二、系統外觀:(結構如下圖所示)

 

三、使用功能說明:

SEI (Secondary Electron Image)

掃描式電子顯微鏡由電子槍產生電子束後,經電子光學系統,使電子束縮小,再照射試片表面,而激發二次電子。這些二次電子被偵測器偵測後,再經由訊號處理放大送到顯示器,即可看到表面形貌。

分析項目 檢測說明 範例
SEI
(二次電子影像)
檢測表面樣品形貌觀測,放大倍率: 20 ~ 300000倍。

分析技術特性:

1. 解析度:1.5 nm at 25 keV

2. 放大倍率:20 ~ 300,000倍

3. 限制:粉末、揮發性物質、磁性物質、有機與高分子物質無法觀測。

4. 缺點:電荷蓄積效應,樣品需導電性良好,對導電性差的樣品,可鍍上導電性佳的金屬於表層(如Pt…),增加其導電性。