歐傑電子顯微鏡(AES)

 

一、系統規格及型號:

1. 機型:VG Scientific Microlab 310F

2. 電子槍:Schottky Field Emission Source, 解析度:15 nm at 25 keV.

3. 電子能量分析器:Concentric Hemispherical Analyzer(CHA),解析度:0.02%~2%

4. 可偵測元素: Li ~ U (原子序 3 ~ 92)

5. 最大試片尺寸:1 cm × 1 cm (厚度< 0.5 cm)

6. 離子槍:Argon

7. X-Ray源:Twin Anode X-Ray 為Mg Kα(1253.6 eV)及 Al Kα(1486.6 eV) 所組成

8. 超高真空系統: ~10-9- Torr

 

二、系統外觀:

系統主要分四個部份:(1)電子槍:提供歐傑分析之入射電子束;(2)能量分析器:分析由試片表面射出的歐傑電子或光電子能量;(3)離子槍:用來清潔試片表面以及進行縱深成份分析。(結構如下圖所示)

 

三、使用功能說明:

AES (Auger Electron Spectroscopy)

藉由電子束入射在樣品表面上指定的位置,可收集到樣品表面數層原子內的歐傑電子,分析此歐傑電子的能量可得到樣品表面的組成成分及相關的化學組態資訊。

  分析項目 檢測說明 範例
1 Auger Survey
(表面成份分析)
檢測表面樣品成份分析,深度約表面50 A以內。
2 Auger Depth Profile
(歐傑縱深成份分析)
藉由控制離子束濺蝕樣品的表面,分析來自不同深度的電子訊號,而得到元素成份的縱深分佈。
3 Auger Mapping
(歐傑成像分析)
經由電子束的掃描取得SEM影像,得到樣品表面元素之位置分佈的歐傑電子影像圖。
4 Auger Line Scan
(歐傑線掃描)
偵測樣品之分析線上的元素訊號,得到線上表面元素的分佈圖。

分析技術特性:

(1)偵測元素: H & He 以外的所有元素

(2)偵測極限: 0.1 ~ 1 atomic %

(3)分析/取樣深度: 5 ~ 50 A

(4)缺點:電荷蓄積效應,樣品需導電性良好,對導電性差的樣品,可鍍上導電性佳的金屬於表層(如Pt…),增加其導電性。