二次離子質譜儀-SIMS

 

一、系統規格及型號:

1. 機型:CAMECA IMS 7F

2. 質譜儀:Double focusing mass spectrometer

3. 質量解析度(Mass Resolving Power) :20 000

4. 離子激發源:

(a) Duoplasmatron :O2+ (10 KV)

(b) Cs surface ionization source (15 KV)

5. 試片尺寸:1 cm × 1cm 以上

6. 質譜範圍:

(a) 1~180 a.m.u. (10KV)

(b) 1~360 a.m.u. ( 5KV)

7. 真空系統:~10-9 torr

 

二、系統外觀:

系統主要分4個部份:(1)一次離子:提供SIMS分析之主要激發源 (2)透鏡磁組(調校離子束路徑)與離子束行進真空腔體 (3)磁偏式質譜儀:將樣品被撞擊出之二次離子依不同質荷比分開 (4) 訊號偵測與轉換處理:偵測不同元素之離子強度。

 

三、使用功能說明:

Secondary Ion Mass Spectrometer

藉由高能量之離子束撞擊試片,收集試片被撞擊出之離子,做試片內部不同深度結構之分析。可偵測最低濃度至ppm~ppb。

  分析項目 檢測說明 範例
1 SIMS質譜掃描
(Mass Scan)
試片表面之質譜掃描,可偵測得知表面之元素組成
2 SIMS縱深分析
(Depth Profile)
藉離子束撞擊樣品,分析試樣不同深度被撞擊出之離子,依據此解析試片內部不同深度之結構變化

 

 

四、分析技術特性:

1.偵測元素:所有元素

2.偵測極限: ppm~ppb

3.破壞性量測。

4.樣品結構分析。

5.同位素比例檢測。